一种复合结构硅基负极材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410945028.6

申请日：

2024-07-15

公开(公告)号：

CN118867191A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

李绍元王雷马文会席风硕陆继军童仲秋魏奎先陈正杰

申请人：

昆明理工大学

申请人地址：

650093 云南省昆明市一二一大街文昌路68号

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/38 H01M4/62 H01M10/0525

代理机构：

昆明隆合知识产权代理事务所(普通合伙) 53220

代理人：

谢丹丹

法律状态：

公开

国省代码：

云南省昆明市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	公开	公开
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20240715

共 50 条

[1]

一种硅基负极材料的制备方法 [P].

高波 ;

朱广林 ;

杨东升 ;

王艺璇 ;

涂赣峰 .

中国专利 :CN109686942A ,2019-04-26

[2]

一种硅基负极材料 [P].

薛旭金 ;

孙永明 ;

薛峰峰 ;

李云峰 ;

李凌云 ;

李霞 ;

李洁 ;

李富斌 ;

施翠莲 ;

王晓兵 .

中国专利 :CN112786848A ,2021-05-11

[3]

一种核壳结构硅基负极材料的制备方法 [P].

丁男 ;

林少雄 ;

刘超辉 .

中国专利 :CN112216826A ,2021-01-12

[4]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

王秀田 ;

曾绍忠 ;

赵志刚 ;

陈效华 .

中国专利 :CN104332594B ,2015-02-04

[5]

一种硅基负极材料及其制备方法 [P].

胡毅 ;

陈艳丽 ;

沈桢 ;

陈仁忠 ;

何霞 .

中国专利 :CN105118974A ,2015-12-02

[6]

一种层状碳硅负极材料的制备方法 [P].

张鹏 ;

刘葆山 ;

刘静 ;

赵丽萍 ;

高濂 .

中国专利 :CN119852359A ,2025-04-18

[7]

一种硅基负极材料及其方法 [P].

王秀田 ;

曾绍忠 ;

赵志刚 ;

陈效华 .

中国专利 :CN104112847B ,2014-10-22

[8]

一种硅基锂离子电池负极材料的制备方法 [P].

宋怀河 ;

牛津 ;

陈晓红 .

中国专利 :CN105489869B ,2016-04-13

[9]

硅基负极活性材料的制备方法及硅基负极活性材料、锂离子电池负极材料和锂离子电池 [P].

徐艳红 ;

苗力孝 .

中国专利 :CN108598413A ,2018-09-28

[10]

一种硅基负极材料及其制备方法、硅基负极极片和锂离子电池 [P].

李喜飞 ;

李皓琪 ;

李明 ;

徐鹤 ;

陈小蕊 .

中国专利 :CN120767302A ,2025-10-10

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