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一种层状碳硅负极材料的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411998352.0
申请日：
2024-12-31
公开(公告)号：
CN119852359A
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
张鹏 刘葆山 刘静 赵丽萍 高濂
申请人：
上海交通大学
申请人地址：
200240 上海市闵行区东川路800号
IPC主分类号：
H01M4/36
IPC分类号：
H01M4/62 H01M4/38
代理机构：
上海旭诚知识产权代理有限公司 31220
代理人：
郑立
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-06 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20241231
2025-04-18 公开 公开
共 50 条
[1]
一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P]. 
韩峰 ;
王好东 ;
杨璋军 ;
杨攀 .
中国专利 :CN120039887B ,2025-08-29
[2]
一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P]. 
韩峰 ;
王好东 ;
杨璋军 ;
杨攀 .
中国专利 :CN120039887A ,2025-05-27
[3]
一种碳硅负极材料及其制备方法 [P]. 
危广路 ;
慈立杰 ;
钟招汉 ;
贾亚龙 ;
王预 ;
李德平 .
中国专利 :CN121035176A ,2025-11-28
[4]
一种锂离子电池的碳包覆硅负极材料的制备方法 [P]. 
陈永胜 ;
随东 ;
谢玉青 ;
徐艳红 .
中国专利 :CN105958036A ,2016-09-21
[5]
一种复合结构硅基负极材料的制备方法 [P]. 
李绍元 ;
王雷 ;
马文会 ;
席风硕 ;
陆继军 ;
童仲秋 ;
魏奎先 ;
陈正杰 .
中国专利 :CN118867191A ,2024-10-29
[6]
一种包覆型碳硅负极材料的制备方法 [P]. 
贺川 ;
杨敏 ;
刘金旭 ;
冯新娅 ;
蔡奇 .
中国专利 :CN111960421A ,2020-11-20
[7]
一种硅碳负极材料用多孔碳的制备方法 [P]. 
张景杰 ;
蔺洪阳 ;
吕鹏鹏 ;
李萌启 .
中国专利 :CN119263278A ,2025-01-07
[8]
一种硅碳负极材料用多孔碳的制备方法 [P]. 
张景杰 ;
蔺洪阳 ;
吕鹏鹏 ;
李萌启 .
中国专利 :CN119263278B ,2025-07-25
[9]
一种硅碳复合负极材料及其制备方法 [P]. 
曹圣平 ;
赵跃 ;
俞晔虎 ;
姜伟伟 ;
唐义 ;
杜法举 .
中国专利 :CN108807927A ,2018-11-13
[10]
一种硼掺杂硅负极材料及其制备方法 [P]. 
张腾飞 ;
胡志雯 ;
吕蓥彤 ;
胡钊僮 ;
汪明 ;
黄涛 ;
刘鹏 .
中国专利 :CN118867149A ,2024-10-29
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