半导体晶片的保护方法及半导体晶片保护用粘着膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510002444.X

申请日：

2005-01-20

公开(公告)号：

CN1649099A

公开(公告)日：

2005-08-03

发明(设计)人：

小清水孝信片冈真宫川诚史福本英树才本芳久

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2130

IPC分类号：

H01L21304 H01L2168 H01L2100 C09J702

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

钟晶

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101264129170 IPC(主分类):H01L 21/30 专利号:ZL200510002444X 变更事项:专利权人变更前权利人:三井化学株式会社变更后权利人:三井化学东赛璐株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都登记生效日:20111205
2005-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-08-03	公开	公开
2009-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法 [P].

栗田恭三 .

中国专利 :CN105981138B ,2016-09-28

[2]

半导体晶片表面保护膜及使用该保护膜的半导体晶片的保护方法 [P].

椙本航介 ;

才本芳久 ;

片冈真 ;

宫川诚史 ;

早川慎一 .

中国专利 :CN1700411A ,2005-11-23

[3]

半导体晶片表面保护用胶带及半导体晶片的制造方法 [P].

大仓雅人 .

中国专利 :CN103525324A ,2014-01-22

[4]

半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法 [P].

横井启时 ;

内山具朗 .

中国专利 :CN107075322B ,2017-08-18

[5]

半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法 [P].

荒桥知未 .

中国专利 :CN107112228A ,2017-08-29

[6]

半导体晶片表面保护用胶带和半导体晶片的加工方法 [P].

五岛裕介 .

中国专利 :CN109075055A ,2018-12-21

[7]

半导体晶片保护膜 [P].

市六信广 .

中国专利 :CN101567340B ,2009-10-28

[8]

半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法 [P].

森本哲光 ;

片冈真 ;

福本英树 .

中国专利 :CN105247661B ,2016-01-13

[9]

半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法 [P].

才本芳久 ;

浦川俊也 ;

中岛明美 ;

赤井郁雄 ;

相原伸 .

中国专利 :CN101116182B ,2008-01-30

[10]

半导体晶片表面保护用胶带 [P].

横井启时 ;

内山具朗 .

中国专利 :CN104185896B ,2014-12-03

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