半导体晶片保护膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910137720.1

申请日：

2009-04-27

公开(公告)号：

CN101567340B

公开(公告)日：

2009-10-28

发明(设计)人：

市六信广

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

H01L2178

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-28	公开	公开
2017-06-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101727759208 IPC(主分类):H01L 23/29 专利号:ZL2009101377201 申请日:20090427 授权公告日:20120704 终止日期:20160427
2011-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101030287722 IPC(主分类):H01L 23/29 专利申请号:2009101377201 申请日:20090427
2012-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体晶片用保护薄膜及半导体芯片的制造方法 [P].

市六信広 .

中国专利 :CN104137229A ,2014-11-05

[2]

半导体晶片表面保护膜及使用该保护膜的半导体晶片的保护方法 [P].

椙本航介 ;

才本芳久 ;

片冈真 ;

宫川诚史 ;

早川慎一 .

中国专利 :CN1700411A ,2005-11-23

[3]

保护膜形成用膜、保护膜形成用片及半导体晶片 [P].

刘晏全 ;

陈灯桂 ;

郑亦杰 ;

王品胜 ;

林岳霆 ;

刘育铨 ;

林育琪 .

中国专利 :CN120648400A ,2025-09-16

[4]

半导体晶片保护膜形成用薄片 [P].

市六信広 ;

盐野嘉幸 .

中国专利 :CN102382584A ,2012-03-21

[5]

粘合剂组合物、半导体晶片保护膜形成用片材 [P].

市六信広 .

中国专利 :CN102191005B ,2011-09-21

[6]

半导体晶片的保护膜的形成装置 [P].

冈南成幸 .

中国专利 :CN101919034A ,2010-12-15

[7]

半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法 [P].

镰田润 ;

川崎登 ;

宇杉真一 ;

助川诚 ;

木下仁 ;

五十岚康二 ;

森本哲光 .

中国专利 :CN107750386A ,2018-03-02

[8]

保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法 [P].

助川诚 ;

木下仁 ;

田原修二 .

中国专利 :CN105981137A ,2016-09-28

[9]

切割半导体晶片保护膜的方法和装置 [P].

斋藤博 ;

栗田刚 ;

冈本光司 .

中国专利 :CN1652298A ,2005-08-10

[10]

半导体晶片的保护方法及半导体晶片保护用粘着膜 [P].

小清水孝信 ;

片冈真 ;

宫川诚史 ;

福本英树 ;

才本芳久 .

中国专利 :CN1649099A ,2005-08-03

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