半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680038179.7

申请日：

2016-07-01

公开(公告)号：

CN107750386A

公开(公告)日：

2018-03-02

发明(设计)人：

镰田润川崎登宇杉真一助川诚木下仁五十岚康二森本哲光

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B32B2700 B32B2730 C09J720 C09J13304 C09J20102 H01L21683

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

金鲜英;李宏轩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	授权	授权
2018-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20160701
2018-03-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶片表面保护膜及使用该保护膜的半导体晶片的保护方法 [P].

椙本航介 ;

才本芳久 ;

片冈真 ;

宫川诚史 ;

早川慎一 .

中国专利 :CN1700411A ,2005-11-23

[2]

半导体晶片表面保护用薄片、使用其的半导体晶片的保护方法以及半导体装置的制造方法 [P].

林下英司 ;

才本芳久 ;

片冈真 ;

尾崎胜敏 ;

酒井充 .

中国专利 :CN102763211B ,2012-10-31

[3]

半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法 [P].

栗田恭三 .

中国专利 :CN105981138B ,2016-09-28

[4]

半导体晶片保护膜 [P].

市六信广 .

中国专利 :CN101567340B ,2009-10-28

[5]

半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置 [P].

保利幸隆 .

中国专利 :CN101145521B ,2008-03-19

[6]

半导体晶片保护用膜及半导体装置的制造方法 [P].

森本哲光 ;

片冈真 ;

福本英树 .

中国专利 :CN105247661B ,2016-01-13

[7]

半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法 [P].

吉田宗博 .

中国专利 :CN105895601A ,2016-08-24

[8]

保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法 [P].

助川诚 ;

木下仁 ;

田原修二 .

中国专利 :CN105981137A ,2016-09-28

[9]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

[10]

半导体基板、半导体晶片以及半导体晶片的制造方法 [P].

佐佐木公平 ;

林家弘 .

日本专利 :CN117795654A ,2024-03-29

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