半导体装置的制造方法、半导体装置、及叠层半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510133816.2

申请日：

2005-12-21

公开(公告)号：

CN100413051C

公开(公告)日：

2006-08-02

发明(设计)人：

深泽元彦

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

H01L2702

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李香兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-20	授权	授权
2006-08-02	公开	公开
2012-05-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101363332235 IPC(主分类):H01L 21/78 专利号:ZL2005101338162 变更事项:专利权人变更前权利人:精工爱普生株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20120419

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

成田勝俊 .

中国专利 :CN106920774B ,2017-07-04

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

沼口浩之 .

中国专利 :CN103681238B ,2014-03-26

[3]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

日本专利 :CN111954926B ,2024-04-30

[4]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

中国专利 :CN111954926A ,2020-11-17

[5]

半导体装置及叠层型半导体装置 [P].

大野贵雄 ;

吉田英治 ;

三泽洋 .

中国专利 :CN1650426A ,2005-08-03

[6]

半导体晶片及半导体装置 [P].

大野天颂 ;

堂前佑辅 .

中国专利 :CN110838515A ,2020-02-25

[7]

半导体装置、半导体装置的制造方法以及带有粘接剂层的半导体晶片 [P].

满仓一行 ;

川守崇司 ;

增子崇 ;

加藤木茂树 ;

藤井真二郎 .

中国专利 :CN102687257A ,2012-09-19

[8]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

中岛一敬 ;

野尻祐二 ;

野口贵也 .

日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03

[9]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

柚木幸平 ;

野岛和弘 ;

丹羽惠一 ;

大野天颂 .

日本专利 :CN119601498A ,2025-03-11

[10]

半导体芯片、半导体晶片及半导体装置及其制造方法 [P].

原一巳 .

中国专利 :CN1518105A ,2004-08-04

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