放射性同位素制造装置及放射性同位素的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880019360.9

申请日：

2008-04-09

公开(公告)号：

CN101681689B

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

小笠原毅矢岛晓佐野正美

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G21G110

IPC分类号：

G01T1161 G21K508

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001462636 IPC(主分类):G21G 1/10 专利申请号:2008800193609 申请日:20080409
2010-03-24	公开	公开
2012-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置 [P].

石冈典子 ;

近藤浩夫 ;

渡边茂树 .

中国专利 :CN111164709A ,2020-05-15

[2]

放射性同位素制造装置 [P].

村上喜信 ;

F·圭拉 .

日本专利 :CN110176323B ,2024-06-25

[3]

放射性同位素制造装置 [P].

永易真好 .

日本专利 :CN118248371A ,2024-06-25

[4]

放射性同位素制造装置 [P].

村上喜信 ;

F·圭拉 .

中国专利 :CN110176323A ,2019-08-27

[5]

放射性同位素电源 [P].

布里安·蒂洛森 .

中国专利 :CN112151202A ,2020-12-29

[6]

放射性同位素电源 [P].

布里安·蒂洛森 .

美国专利 :CN112151202B ,2024-06-21

[7]

放射性同位素的精制装置及放射性同位素的精制方法 [P].

加藤润 ;

谷口爱实 .

中国专利 :CN104923077A ,2015-09-23

[8]

放射性同位素生产装置 [P].

朱贵凤 ;

邹杨 ;

严睿 ;

康旭忠 ;

陈金根 ;

邹春燕 ;

余呈刚 ;

周波 .

中国专利 :CN113539540B ,2025-04-29

[9]

放射性同位素浓缩装置 [P].

V·S·乐 ;

N·莫科斯 ;

J·麦克布雷尔 .

中国专利 :CN104755145A ,2015-07-01

[10]

放射性同位素生产装置 [P].

朱贵凤 ;

邹杨 ;

严睿 ;

康旭忠 ;

陈金根 ;

邹春燕 ;

余呈刚 ;

周波 .

中国专利 :CN216450396U ,2022-05-06

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