放射性同位素浓缩装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380055872.1

申请日：

2013-10-25

公开(公告)号：

CN104755145A

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

V·S·乐 N·莫科斯 J·麦克布雷尔

申请人：

申请人地址：

澳大利亚新南威尔士州

IPC主分类号：

B01D1504

IPC分类号：

B01D5928 G21G104 G21G408 A61K10300

代理机构：

北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224

代理人：

陈建春

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-06	授权	授权
2015-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638230996 IPC(主分类):B01D 15/04 专利申请号:2013800558721 申请日:20131025
2015-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置 [P].

石冈典子 ;

近藤浩夫 ;

渡边茂树 .

中国专利 :CN111164709A ,2020-05-15

[2]

放射性同位素电源 [P].

布里安·蒂洛森 .

中国专利 :CN112151202A ,2020-12-29

[3]

放射性同位素电源 [P].

布里安·蒂洛森 .

美国专利 :CN112151202B ,2024-06-21

[4]

放射性同位素制造装置及放射性同位素的制造方法 [P].

小笠原毅 ;

矢岛晓 ;

佐野正美 .

中国专利 :CN101681689B ,2010-03-24

[5]

放射性同位素生产装置 [P].

朱贵凤 ;

邹杨 ;

严睿 ;

康旭忠 ;

陈金根 ;

邹春燕 ;

余呈刚 ;

周波 .

中国专利 :CN113539540B ,2025-04-29

[6]

放射性同位素制造装置 [P].

村上喜信 ;

F·圭拉 .

日本专利 :CN110176323B ,2024-06-25

[7]

放射性同位素生产装置 [P].

朱贵凤 ;

邹杨 ;

严睿 ;

康旭忠 ;

陈金根 ;

邹春燕 ;

余呈刚 ;

周波 .

中国专利 :CN216450396U ,2022-05-06

[8]

放射性同位素生产装置 [P].

朱贵凤 ;

邹杨 ;

严睿 ;

康旭忠 ;

陈金根 ;

邹春燕 ;

余呈刚 ;

周波 .

中国专利 :CN113539540A ,2021-10-22

[9]

放射性同位素制造装置 [P].

永易真好 .

日本专利 :CN118248371A ,2024-06-25

[10]

放射性同位素制造装置 [P].

村上喜信 ;

F·圭拉 .

中国专利 :CN110176323A ,2019-08-27

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