等离子处理装置用晶座

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201530423501.6

申请日：

2015-10-29

公开(公告)号：

CN303612711S

公开(公告)日：

2016-03-09

发明(设计)人：

田内勤植村崇佐藤浩平

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

1599

IPC分类号：

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

丁文蕴;许凯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-09	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子处理装置用下气室 [P].

田内勤 ;

植村崇 ;

佐藤浩平 .

中国专利 :CN303605935S ,2016-03-02

[2]

等离子处理装置用环盖 [P].

田内勤 ;

植村崇 ;

佐藤浩平 .

中国专利 :CN303655665S ,2016-04-27

[3]

等离子处理装置用上气室 [P].

田内勤 ;

植村崇 ;

佐藤浩平 .

中国专利 :CN303655666S ,2016-04-27

[4]

等离子处理装置用上气室 [P].

植村崇 ;

佐藤浩平 ;

田内勤 .

中国专利 :CN304062058S ,2017-03-01

[5]

等离子处理装置以及等离子处理方法 [P].

中谷信太郎 ;

一野贵雅 ;

近藤勇树 .

日本专利 :CN119905448A ,2025-04-29

[6]

等离子处理装置以及等离子处理方法 [P].

福地功祐 ;

朝仓凉次 ;

江藤宗一郎 ;

冈本翔 ;

臼井建人 ;

中元茂 .

中国专利 :CN114360993A ,2022-04-15

[7]

等离子处理装置以及等离子处理方法 [P].

福地功祐 ;

朝仓凉次 ;

江藤宗一郎 ;

冈本翔 ;

臼井建人 ;

中元茂 .

日本专利 :CN114360993B ,2025-03-25

[8]

等离子处理装置以及等离子处理方法 [P].

中谷信太郎 ;

一野贵雅 ;

近藤勇树 .

日本专利 :CN115398602B ,2025-02-21

[9]

等离子处理装置以及等离子处理方法 [P].

中谷信太郎 ;

一野贵雅 ;

近藤勇树 .

中国专利 :CN115398602A ,2022-11-25

[10]

等离子处理装置套环 [P].

中村勤 ;

田内勤 ;

牧野昭孝 .

中国专利 :CN3605337D ,2007-01-31

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