半导体蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980054883.5

申请日：

2019-07-17

公开(公告)号：

CN112567503A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

邓丽刚凯蒂·霍尔

申请人：

申请人地址：

英国牛津郡

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L3300 H01L3118 H01S5183

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

张珂珂;朱雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	公开	公开
2021-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20190717

共 50 条

[1]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

英国专利 :CN112567503B ,2025-01-10

[2]

蚀刻铟基半导体材料的方法 [P].

凯蒂·霍尔 ;

凯西亚·斯托克利 ;

安德鲁·牛顿 ;

凯文·鲍威尔 .

英国专利 :CN119278502A ,2025-01-07

[3]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

法国专利 :CN111261512B ,2024-02-06

[4]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

中国专利 :CN111261512A ,2020-06-09

[5]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

中国专利 :CN105580116B ,2016-05-11

[6]

蚀刻半导体结构的方法和设备 [P].

清水大亮 ;

畠山大辉 ;

S·S·康 ;

川崎胜正 ;

张纯磊 .

中国专利 :CN113366603A ,2021-09-07

[7]

蚀刻半导体结构的方法和设备 [P].

清水大亮 ;

畠山大辉 ;

S·S·康 ;

川崎胜正 ;

张纯磊 .

美国专利 :CN113366603B ,2024-05-31

[8]

半导体激光光源 [P].

刘安金 ;

杨礴 .

中国专利 :CN110289555A ,2019-09-27

[9]

红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 [P].

赵勇明 ;

董建荣 ;

李奎龙 ;

孙玉润 ;

曾徐路 ;

于淑珍 ;

赵春雨 ;

杨辉 .

中国专利 :CN103401144B ,2013-11-20

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

董旭 ;

熊敏 ;

朱杰 .

中国专利 :CN115733050B ,2025-07-01

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