蚀刻铟基半导体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380043086.3

申请日：

2023-04-26

公开(公告)号：

CN119278502A

公开(公告)日：

2025-01-07

发明(设计)人：

凯蒂·霍尔凯西亚·斯托克利安德鲁·牛顿凯文·鲍威尔

申请人：

牛津仪器纳米技术工具有限公司

申请人地址：

英国牛津郡

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01J37/32

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

张娜;徐成福

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20230426
2025-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

中国专利 :CN112567503A ,2021-03-26

[2]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

英国专利 :CN112567503B ,2025-01-10

[3]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

法国专利 :CN111261512B ,2024-02-06

[4]

半导体材料的蚀刻方法及蚀刻机台的控制方法 [P].

张彪 .

中国专利 :CN119542135A ,2025-02-28

[5]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

中国专利 :CN111261512A ,2020-06-09

[6]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

中国专利 :CN105580116B ,2016-05-11

[7]

半导体材料的选择性精确蚀刻 [P].

南森·马塞尔怀特 ;

朱济 ;

杰罗姆·米歇尔·多米尼克·美莱特 ;

大卫·穆伊 ;

马克·直司·川口 ;

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN115668463A ,2023-01-31

[8]

用以蚀刻半导体材料的方法 [P].

珍·皮尔·柯林 ;

卡罗司·迪亚兹 ;

马克范达尔 .

中国专利 :CN108231582B ,2018-06-29

[9]

一步合成铟基或镓基半导体材料的方法 [P].

周波 ;

李伦昂 ;

罗圣峰 ;

王泽 .

中国专利 :CN115974132B ,2025-09-16

[10]

氮化物半导体材料的蚀刻方法 [P].

彭隆瀚 ;

庄志伟 ;

何晋国 ;

陈金源 .

中国专利 :CN1060541C ,1999-03-31

← 1 2 3 4 5 →