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硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110642153.6
申请日：
2021-06-09
公开(公告)号：
CN113410442A
公开(公告)日：
2021-09-17
发明(设计)人：
陈功锋
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道金沙社区寿禾路1号兴利尊典家具厂A栋201
IPC主分类号：
H01M436
IPC分类号：
H01M438 H01M4134 H01M100525 H01M1042
代理机构：
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人：
曹柳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-09-17 公开 公开
2021-10-08 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20210609
共 50 条
[1]
硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P]. 
毛贵水 .
中国专利 :CN113363437A ,2021-09-07
[2]
硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P]. 
廖华平 ;
余刚 .
中国专利 :CN115513418A ,2022-12-23
[3]
复合硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P]. 
李光胤 .
中国专利 :CN119517972B ,2025-05-16
[4]
复合硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P]. 
李光胤 .
中国专利 :CN119517972A ,2025-02-25
[5]
硅-石墨复合负极材料、负极片、二次电池 [P]. 
陈功锋 .
中国专利 :CN114843511A ,2022-08-02
[6]
锂离子电池用硅基负极材料及其制备、负极片和二次电池 [P]. 
丁旭丽 ;
梁道伟 ;
赵洪达 .
中国专利 :CN110797521A ,2020-02-14
[7]
硅复合负极材料及其制备方法、二次电池 [P]. 
薛冬峰 ;
彭超 ;
王晓明 ;
王鑫 .
中国专利 :CN113964303A ,2022-01-21
[8]
金属掺杂硅基负极材料的制备方法，负极材料和二次电池 [P]. 
郭树豪 ;
傅儒生 ;
余德馨 ;
仰韻霖 .
中国专利 :CN115663153A ,2023-01-31
[9]
硅基负极材料及其制备方法、及二次电池 [P]. 
李宁 ;
傅儒生 ;
余德馨 ;
仰韻霖 .
中国专利 :CN116565170B ,2024-06-07
[10]
负极材料及其制备方法、二次电池 [P]. 
肖称茂 ;
何鹏 ;
郭锷明 ;
任建国 ;
贺雪琴 .
中国专利 :CN117790704A ,2024-03-29
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