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硅复合负极材料及其制备方法、二次电池

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111176105.9
申请日：
2021-10-09
公开(公告)号：
CN113964303A
公开(公告)日：
2022-01-21
发明(设计)人：
薛冬峰 彭超 王晓明 王鑫
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号
IPC主分类号：
H01M436
IPC分类号：
H01M438 H01M4583 H01M462 H01M100525
代理机构：
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人：
曹柳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-01 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20211009
2022-01-21 公开 公开
共 50 条
[1]
硅碳复合负极材料及其制备方法和二次电池 [P]. 
严欣 ;
于方方 ;
于清江 ;
江柯成 ;
於洪将 .
中国专利 :CN120978036A ,2025-11-18
[2]
硅基负极材料及其制备方法、二次电池 [P]. 
廖华平 ;
余刚 .
中国专利 :CN115513418A ,2022-12-23
[3]
石墨复合负极材料及其制备方法、二次电池 [P]. 
王亚雄 ;
万远鑫 ;
孔令涌 ;
贺艳兵 .
中国专利 :CN115036484A ,2022-09-09
[4]
硅基复合负极材料及其制备方法 [P]. 
杨荣 ;
王良俊 ;
何科峰 ;
吴楚楚 ;
谢帅 .
中国专利 :CN119542367A ,2025-02-28
[5]
硅基材料及其制备方法、复合负极材料、二次电池和用电装置 [P]. 
赵子雨 .
中国专利 :CN118676354A ,2024-09-20
[6]
锂离子二次电池多孔硅/碳复合负极材料及其制备方法 [P]. 
杨化滨 ;
侯晓存 ;
赵前永 .
中国专利 :CN104617276B ,2015-05-13
[7]
硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P]. 
毛贵水 .
中国专利 :CN113363437A ,2021-09-07
[8]
硅基负极材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P]. 
陈功锋 .
中国专利 :CN113410442A ,2021-09-17
[9]
石墨负极材料及其制备方法、二次电池 [P]. 
高俊强 ;
刘婷婷 ;
田东 ;
朱光耀 ;
崔林昫 .
中国专利 :CN115332489A ,2022-11-11
[10]
卷曲碳材料包裹硅复合负极材料、负极片、二次电池及制备方法 [P]. 
张超 .
中国专利 :CN120149414A ,2025-06-13
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