具有选择性气体供应的选择性外延工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580041187.9

申请日：

2005-11-28

公开(公告)号：

CN101069264B

公开(公告)日：

2007-11-07

发明(设计)人：

金亿涣阿卡迪·V·萨蒙罗弗

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2136 H01L218238 H01L2131 H01L21336 H01L21469 H01L2120

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101262314895 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2005800411879 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州
2007-11-07	公开	公开
2017-05-10	授权	授权
2008-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

选择性外延工艺的监控方法 [P].

三重野文健 ;

涂火金 ;

何永根 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102569041A ,2012-07-11

[2]

利用选择性外延工艺形成外延层的方法 [P].

何有丰 ;

胡亚兰 .

中国专利 :CN102082084A ,2011-06-01

[3]

选择性沉积 [P].

D·K·卡尔森 ;

S·库普里奥 ;

E·A·C·桑切斯 ;

H·贝克福德 ;

Y·金 .

中国专利 :CN101401202B ,2009-04-01

[4]

活性碳的选择性外延工艺 [P].

P·R·丘德博莱姆 ;

S·切克莱奥塞 .

中国专利 :CN101171681A ,2008-04-30

[5]

选择性外延生长装置及集群设备 [P].

朴用城 ;

李成光 ;

金东烈 ;

金基勋 .

中国专利 :CN104246977B ,2014-12-24

[6]

使用外延阻止层的选择性外延 [P].

郑政玮 ;

金志焕 ;

J.A.奥特 ;

D.K.萨达纳 .

中国专利 :CN105977142B ,2016-09-28

[7]

硅碳外延层的选择性形成 [P].

叶祉渊 ;

乔普拉·索拉布 ;

林启华 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101404250B ,2009-04-08

[8]

在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法 [P].

张闻宇 ;

杨逸雄 ;

马里奥·D·桑切斯 ;

蹇国强 ;

唐薇 ;

伯·F·马 .

中国专利 :CN112385018A ,2021-02-19

[9]

在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法 [P].

张闻宇 ;

杨逸雄 ;

马里奥·D·桑切斯 ;

蹇国强 ;

唐薇 ;

伯·F·马 .

美国专利 :CN112385018B ,2025-02-25

[10]

选择性硅沉积 [P].

Y·周 ;

符谦 .

美国专利 :CN118103950A ,2024-05-28

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