在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980028945.5

申请日：

2019-05-01

公开(公告)号：

CN112385018A

公开(公告)日：

2021-02-19

发明(设计)人：

张闻宇杨逸雄马里奥·D·桑切斯蹇国强唐薇伯·F·马

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L213213

IPC分类号：

H01L213065 H01L21324 H01L21311 H01L2167

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-19	公开	公开
2021-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3213 申请日:20190501

共 50 条

[1]

在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法 [P].

张闻宇 ;

杨逸雄 ;

马里奥·D·桑切斯 ;

蹇国强 ;

唐薇 ;

伯·F·马 .

美国专利 :CN112385018B ,2025-02-25

[2]

高选择性氮化物蚀刻工艺 [P].

J·B·张 ;

S·U·恩格尔曼 ;

N·C·M·富勒 ;

M·A·古罗恩 ;

中村昌洋 .

中国专利 :CN103890918A ,2014-06-25

[3]

选择性蚀刻方法 [P].

G·瓦格纳 .

中国专利 :CN101015043A ,2007-08-08

[4]

选择性蚀刻方法 [P].

克里斯托弗·科多尼尔 ;

锅岛三弘 ;

熊谷真吾 ;

高桥直贵 .

中国专利 :CN103205259A ,2013-07-17

[5]

选择性蚀刻方法及装置 [P].

刘苏涛 ;

苏财宝 ;

林士闵 ;

渠兴宇 .

中国专利 :CN115376915A ,2022-11-22

[6]

使用沉积-处理-蚀刻工艺的硅的选择性沉积 [P].

程睿 ;

F·王 ;

A·B·玛里克 ;

R·J·维瑟 .

中国专利 :CN110870044A ,2020-03-06

[7]

二氟化氙蚀刻工艺中的改进的选择性 [P].

安东尼·奥哈拉 .

中国专利 :CN102712462A ,2012-10-03

[8]

选择性钝化和选择性沉积 [P].

J.W.梅斯 ;

M.E.吉文斯 ;

S.P.霍卡 ;

V.帕鲁丘里 ;

I.J.拉伊杰马克斯 ;

邓少任 ;

A.伊利贝里 ;

E.E.托伊斯 ;

D.朗格里 ;

C.德泽拉 ;

M.图米恩 .

中国专利 :CN115679286A ,2023-02-03

[9]

选择性钝化和选择性沉积 [P].

J·W·梅斯 ;

M·吉文斯 ;

S·豪卡 ;

V·帕鲁丘里 ;

I·拉伊梅克斯 ;

S·邓 ;

A·伊利贝里 ;

E·托伊斯 ;

D·朗格里 .

中国专利 :CN110993482A ,2020-04-10

[10]

选择性蚀刻材料的改进 [P].

王界入 ;

吴幸臻 ;

许家荣 .

中国专利 :CN112384597A ,2021-02-19

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