使用沉积-处理-蚀刻工艺的硅的选择性沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880036882.3

申请日：

2018-06-06

公开(公告)号：

CN110870044A

公开(公告)日：

2020-03-06

发明(设计)人：

程睿 F·王 A·B·玛里克 R·J·维瑟

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213065 H01L21311 H01L213213

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

汪骏飞;侯颖媖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-06	公开	公开
2020-03-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180606

共 50 条

[1]

在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法 [P].

张闻宇 ;

杨逸雄 ;

马里奥·D·桑切斯 ;

蹇国强 ;

唐薇 ;

伯·F·马 .

中国专利 :CN112385018A ,2021-02-19

[2]

在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法 [P].

张闻宇 ;

杨逸雄 ;

马里奥·D·桑切斯 ;

蹇国强 ;

唐薇 ;

伯·F·马 .

美国专利 :CN112385018B ,2025-02-25

[3]

共沉积和蚀刻工艺 [P].

李英熙 ;

米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨 ;

杨文兵 ;

萨曼莎·西亚姆华·坦 ;

阿鲁尼玛·德亚·巴兰 ;

范译文 .

美国专利 :CN119137714A ,2024-12-13

[4]

腔室沉积和蚀刻工艺 [P].

马骏 ;

A·班塞尔 ;

T·A·恩古耶 .

中国专利 :CN114930507A ,2022-08-19

[5]

高选择性氮化物蚀刻工艺 [P].

J·B·张 ;

S·U·恩格尔曼 ;

N·C·M·富勒 ;

M·A·古罗恩 ;

中村昌洋 .

中国专利 :CN103890918A ,2014-06-25

[6]

二氟化氙蚀刻工艺中的改进的选择性 [P].

安东尼·奥哈拉 .

中国专利 :CN102712462A ,2012-10-03

[7]

针对改善的间隙填充的混合式沉积和蚀刻工艺 [P].

大卫·约瑟夫·曼迪亚 ;

马修·伯特拉姆·爱德华·格里菲思 ;

希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 .

美国专利 :CN120937115A ,2025-11-11

[8]

一种高选择性银蚀刻液及其制备方法、蚀刻工艺 [P].

王庆伟 ;

李明凯 ;

张虎 ;

刘庆五 ;

谭镇东 ;

刘文权 ;

秦海涛 ;

秦亚红 ;

周游 .

中国专利 :CN120758883A ,2025-10-10

[9]

使用等离子体改性的介电材料的选择性循环干式蚀刻工艺 [P].

R·H·J·沃乌尔特 ;

小林伸好 ;

堤隆嘉 ;

堀胜 .

中国专利 :CN110739211B ,2020-01-31

[10]

使用卤化物的改良蚀刻选择性 [P].

大卫·纳普 ;

乔锋 ;

周海龙 ;

赫军凯 ;

符谦 ;

马克·J·萨利 ;

杰弗里·安西斯 ;

崔子英 .

美国专利 :CN120642035A ,2025-09-12

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