针对改善的间隙填充的混合式沉积和蚀刻工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480024796.6

申请日：

2024-04-05

公开(公告)号：

CN120937115A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

大卫·约瑟夫·曼迪亚马修·伯特拉姆·爱德华·格里菲思希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/285

IPC分类号：

H01L21/768 C23C16/455 C23C16/14 C23C16/04

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;张静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/285申请日:20240405

共 50 条

[1]

腔室沉积和蚀刻工艺 [P].

马骏 ;

A·班塞尔 ;

T·A·恩古耶 .

中国专利 :CN114930507A ,2022-08-19

[2]

共沉积和蚀刻工艺 [P].

李英熙 ;

米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨 ;

杨文兵 ;

萨曼莎·西亚姆华·坦 ;

阿鲁尼玛·德亚·巴兰 ;

范译文 .

美国专利 :CN119137714A ,2024-12-13

[3]

用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法 [P].

阿希尔·辛格哈尔 ;

帕特里克·A·范克利蒙布特 ;

马丁·E·弗里伯恩 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 .

中国专利 :CN111243931A ,2020-06-05

[4]

用于在间隙填充中沉积和蚀刻的装置和方法 [P].

阿希尔·辛格哈尔 ;

帕特里克·A·范克利蒙布特 ;

马丁·E·弗里伯恩 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 .

中国专利 :CN107564790A ,2018-01-09

[5]

利用主动聚焦激光束激光划刻工艺和等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方案 [P].

K·巴拉克里希南 ;

J·帕克 ;

S·斯如纳乌卡拉苏 ;

E·S·白 .

中国专利 :CN114223056A ,2022-03-22

[6]

金属层的形成和原位蚀刻工艺 [P].

林柏宇 ;

周其雨 ;

李显铭 ;

杨怀德 ;

王俊杰 ;

白岳青 ;

杨淇任 ;

汤宗达 ;

王宜婷 .

中国专利 :CN110875179B ,2020-03-10

[7]

使用分裂光束激光划线工艺与等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法 [P].

J·帕克 ;

类维生 ;

B·伊顿 ;

J·S·帕帕努 ;

A·库玛 .

中国专利 :CN108701651A ,2018-10-23

[8]

用于硅间隙填充的循环保形沉积/退火/蚀刻 [P].

程睿 ;

杨奕 ;

A·B·玛里克 .

中国专利 :CN110892505A ,2020-03-17

[9]

使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法 [P].

J·朴 ;

类维生 ;

J·S·帕帕努 ;

B·伊顿 ;

A·库玛 .

中国专利 :CN108780778A ,2018-11-09

[10]

一种用于SiCoNi蚀刻工艺的蚀刻装置 [P].

雷通 ;

易海兰 ;

钟斌 .

中国专利 :CN104377107A ,2015-02-25

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