腔室沉积和蚀刻工艺

被引：0

申请号：

CN202080092245.5

申请日：

2020-11-30

公开(公告)号：

CN114930507A

公开(公告)日：

2022-08-19

发明(设计)人：

马骏 A·班塞尔 T·A·恩古耶

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L2102 H01J3732 H01L21687 C23C1626

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-19	公开	公开
2022-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20201130

共 50 条

[1]

共沉积和蚀刻工艺 [P].

李英熙 ;

米歇尔·玛格丽塔·弗洛里斯埃斯皮诺萨 ;

杨文兵 ;

萨曼莎·西亚姆华·坦 ;

阿鲁尼玛·德亚·巴兰 ;

范译文 .

美国专利 :CN119137714A ,2024-12-13

[2]

针对沉积腔室和蚀刻腔室的上游工艺监测 [P].

M·拉皮多 ;

S·亚里 .

美国专利 :CN118318290A ,2024-07-09

[3]

针对改善的间隙填充的混合式沉积和蚀刻工艺 [P].

大卫·约瑟夫·曼迪亚 ;

马修·伯特拉姆·爱德华·格里菲思 ;

希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 .

美国专利 :CN120937115A ,2025-11-11

[4]

硅蚀刻和腔室清洁工艺的集成 [P].

刘伟 ;

S·威廉斯 ;

S·然 ;

D·梅 ;

M·沈 .

中国专利 :CN1717787A ,2006-01-04

[5]

工艺腔室和半导体处理设备 [P].

郭士选 ;

王松涛 .

中国专利 :CN110706994B ,2020-01-17

[6]

蚀刻装置及蚀刻工艺 [P].

冀卫荣 ;

林琼辉 ;

冉彦祥 .

中国专利 :CN102978622A ,2013-03-20

[7]

蚀刻装置及蚀刻工艺 [P].

林琼辉 ;

冀卫荣 ;

罗春泉 .

中国专利 :CN102912348A ,2013-02-06

[8]

蚀刻设备与蚀刻工艺 [P].

戴伟仁 ;

吴泉毅 ;

曾美贵 ;

徐名潭 .

中国专利 :CN1892994A ,2007-01-10

[9]

热原子层蚀刻工艺 [P].

T·E·布隆贝格 ;

朱驰宇 ;

M·J·图奥米恩 ;

S·P·郝卡 ;

V·莎尔玛 .

中国专利 :CN110050331A ,2019-07-23

[10]

一种用于SiCoNi蚀刻工艺的蚀刻装置 [P].

雷通 ;

易海兰 ;

钟斌 .

中国专利 :CN104377107A ,2015-02-25

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