绝缘体上硅射频开关器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510189302.2

申请日：

2015-04-17

公开(公告)号：

CN104810406A

公开(公告)日：

2015-07-29

发明(设计)人：

刘张李

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150729
2015-07-29	公开	公开
2015-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101622457893 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015101893022 申请日:20150417

共 50 条

[1]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN105161500B ,2015-12-16

[2]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN104752429B ,2015-07-01

[3]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN105047720B ,2015-11-11

[4]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN104766889B ,2015-07-08

[5]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN104485361A ,2015-04-01

[6]

用于绝缘体上硅射频开关器件结构的制造方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN104733392A ,2015-06-24

[7]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

[8]

绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 ;

许丹 .

中国专利 :CN103022054A ,2013-04-03

[9]

绝缘体上硅器件 [P].

T·莱塔维克 ;

J·彼得鲁泽洛 .

中国专利 :CN1802753A ,2006-07-12

[10]

阱注入方法、绝缘体上硅器件制造方法和绝缘体上硅器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102737968A ,2012-10-17

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