一种制备单层2H相二硫化钼/微纳米碳复合材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610698728.5

申请日：

2016-08-22

公开(公告)号：

CN106229155A

公开(公告)日：

2016-12-14

发明(设计)人：

常焜李熠辉汤宏伟李苞上官恩波常照荣

申请人：

申请人地址：

453007 河南省新乡市建设东路46号

IPC主分类号：

H01G1130

IPC分类号：

H01G1136 H01G1186 H01M4583 H01M458 H01M4139

代理机构：

新乡市平原专利有限责任公司 41107

代理人：

路宽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-06	授权	授权
2016-12-14	公开	公开
2022-07-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 11/30 申请日:20160822 授权公告日:20180306 终止日期:20210822
2017-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101696036117 IPC(主分类):H01G 11/30 专利申请号:2016106987285 申请日:20160822

共 50 条

[1]

一种制备单层1T相二硫化钼/微纳米碳复合材料的方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106391058A ,2017-02-15

[2]

一种制备单层2H相二硫化钼/石墨烯复合材料的方法 [P].

常焜 ;

李熠辉 ;

汤宏伟 ;

李苞 ;

上官恩波 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106335925A ,2017-01-18

[3]

一种2H相单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

常照荣 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 .

中国专利 :CN106298259A ,2017-01-04

[4]

一种制备单层1T相二硫化钼/石墨烯复合材料的方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106257609B ,2016-12-28

[5]

一种制备单层2H相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106229509B ,2016-12-14

[6]

一种二硫化钼/碳复合材料及其制备方法 [P].

高濂 ;

孙壮 ;

宋雪峰 ;

张鹏 ;

姚钰宸 .

中国专利 :CN104934602B ,2015-09-23

[7]

一种1T相单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

常照荣 ;

汤宏伟 ;

李苞 ;

上官恩波 ;

李熠辉 .

中国专利 :CN106241878A ,2016-12-21

[8]

一种二硫化钼/碳纳米复合材料的合成方法 [P].

耿芹 ;

杨超 ;

宿新泰 ;

梁小玉 ;

闫宝林 ;

陈航 ;

赵云龙 ;

张敏 ;

王吉德 .

中国专利 :CN106423218A ,2017-02-22

[9]

层状二硫化钼/碳复合材料的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

尹朋岸 ;

王子晨 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107256949B ,2017-10-17

[10]

一种碳掺杂2H相二硫化钼及其制备方法 [P].

王双 ;

张成智 .

中国专利 :CN119018936A ,2024-11-26

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