一种1T相单层二硫化钼纳米片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610698766.0

申请日：

2016-08-22

公开(公告)号：

CN106241878A

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

常焜常照荣汤宏伟李苞上官恩波李熠辉

申请人：

申请人地址：

453007 河南省新乡市建设东路46号

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

新乡市平原专利有限责任公司 41107

代理人：

路宽

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20160822 授权公告日:20170623 终止日期:20210822
2017-06-23	授权	授权
2016-12-21	公开	公开
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101697770906 IPC(主分类):C01G 39/06 专利申请号:2016106987660 申请日:20160822

共 50 条

[1]

一种2H相单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

常照荣 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 .

中国专利 :CN106298259A ,2017-01-04

[2]

一种1T相单层二硫化钨纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

汤宏伟 ;

李苞 ;

上官恩波 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106315678B ,2017-01-11

[3]

一种单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106495221A ,2017-03-15

[4]

一种制备单层1T相二硫化钼/微纳米碳复合材料的方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106391058A ,2017-02-15

[5]

一种制备单层1T相二硫化钼/石墨烯复合材料的方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106257609B ,2016-12-28

[6]

一种单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

宋驁天 ;

汪远昊 ;

彭晋卿 ;

詹宸 ;

杜争 .

中国专利 :CN107244697A ,2017-10-13

[7]

一种2H相单层二硫化钨纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

汤宏伟 ;

李苞 ;

上官恩波 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106335927B ,2017-01-18

[8]

纳米1T相二硫化钼/二硫化镍复合纳米材料的制备方法 [P].

于然波 ;

陈晓煜 ;

王祖民 ;

魏延泽 ;

张行 .

中国专利 :CN110510679B ,2019-11-29

[9]

一种制备单层二硫化钼纳米片的方法 [P].

王牧 ;

李庆玄 ;

朱声涛 ;

张磊 ;

彭茹雯 .

中国专利 :CN115557536A ,2023-01-03

[10]

一种基于1T相纳米二硫化钼处理废水的方法及该1T相纳米二硫化钼的制备方法 [P].

黄明智 ;

王信之 ;

易晓辉 ;

王晓珊 .

中国专利 :CN113716671B ,2021-11-30

← 1 2 3 4 5 →