一种2H相单层二硫化钨纳米片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610698730.2

申请日：

2016-08-22

公开(公告)号：

CN106335927B

公开(公告)日：

2017-01-18

发明(设计)人：

常焜汤宏伟李苞上官恩波常照荣

申请人：

申请人地址：

453007 河南省新乡市建设东路46号

IPC主分类号：

C01G4100

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

新乡市平原专利有限责任公司 41107

代理人：

路宽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	公开	公开
2018-03-06	授权	授权
2022-07-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 41/00 申请日:20160822 授权公告日:20180306 终止日期:20210822
2017-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101703563011 IPC(主分类):C01G 41/00 专利申请号:2016106987302 申请日:20160822

共 50 条

[1]

一种1T相单层二硫化钨纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

汤宏伟 ;

李苞 ;

上官恩波 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106315678B ,2017-01-11

[2]

一种2H相单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

常照荣 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 .

中国专利 :CN106298259A ,2017-01-04

[3]

一种单层二硫化钨纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

李熠辉 ;

汤宏伟 ;

李苞 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106517335A ,2017-03-22

[4]

一种1T相单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

常照荣 ;

汤宏伟 ;

李苞 ;

上官恩波 ;

李熠辉 .

中国专利 :CN106241878A ,2016-12-21

[5]

一种制备单层2H相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

上官恩波 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106229509B ,2016-12-14

[6]

一种单层或少层二硫化钨纳米片的制备方法 [P].

孙剑辉 ;

骆圣达 ;

董淑英 ;

王倩文 ;

禹崇菲 ;

张方圆 ;

杨鹏艳 ;

张迪 .

中国专利 :CN106745272A ,2017-05-31

[7]

一种超薄二硫化钨纳米片的制备方法 [P].

张向华 ;

刘涛 ;

徐鸿翔 ;

叶霞 .

中国专利 :CN110510673B ,2019-11-29

[8]

一种二硫化钨纳米片的制备方法 [P].

毕见强 ;

高希成 ;

王伟礼 ;

孙晓宁 ;

陈亚飞 ;

孙国勋 ;

冷明哲 ;

郝旭霞 ;

王璐 ;

颜伟康 .

中国专利 :CN108285173B ,2018-07-17

[9]

一种单层二硫化钼纳米片的制备方法 [P].

常焜 ;

李苞 ;

汤宏伟 ;

李熠辉 ;

常照荣 .

中国专利 :CN106495221A ,2017-03-15

[10]

一步化学气相沉积制备高质量二硫化钨纳米片的方法 [P].

何春年 ;

周静雯 ;

赵乃勤 ;

师春生 ;

刘恩佐 ;

李家俊 .

中国专利 :CN105197998A ,2015-12-30

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