一种基于铁磁材料的忆阻器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810051734.0

申请日：

2018-01-19

公开(公告)号：

CN108336222A

公开(公告)日：

2018-07-27

发明(设计)人：

游龙张帅李若凡洪正敏

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4302

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

曹葆青;廖盈春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-27	公开	公开
2021-06-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 43/08 申请公布日:20180727
2018-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20180119

共 50 条

[1]

一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用 [P].

陈子洋 ;

秦琦 ;

张缪城 ;

陈星宇 ;

韩翱泽 ;

童祎 .

中国专利 :CN114400283B ,2025-11-25

[2]

一种基于AlScN铁电材料忆阻器件的制备和处理方法 [P].

韩聪 ;

邵卫晶 ;

王新朋 ;

童祎 .

中国专利 :CN119836222A ,2025-04-15

[3]

一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法 [P].

秦琦 ;

姚苏昊 ;

张缪城 ;

罗健成 ;

施明旻 ;

童祎 ;

连晓娟 .

中国专利 :CN111129299A ,2020-05-08

[4]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

[5]

一种基于忆阻器件的模数转换电路 [P].

刘洋 ;

董华 ;

吴霜毅 ;

胡绍刚 ;

李竞春 ;

于奇 .

中国专利 :CN103281082A ,2013-09-04

[6]

一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法 [P].

陈星宇 ;

张缪城 ;

秦琦 ;

戎焕焕 ;

童祎 .

中国专利 :CN114284430B ,2025-11-14

[7]

一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法 [P].

陈星宇 ;

张缪城 ;

秦琦 ;

戎焕焕 ;

童祎 .

中国专利 :CN114284430A ,2022-04-05

[8]

一种忆阻器件的制备方法 [P].

孙柏 ;

朱守辉 ;

毛双锁 ;

郑良 ;

夏钰东 ;

赵勇 .

中国专利 :CN108666418A ,2018-10-16

[9]

一种基于忆阻器件的神经元电路 [P].

杨蕊 ;

郭新 ;

谈征华 ;

洪庆辉 ;

尹雪兵 ;

黄鹤鸣 ;

王小平 .

中国专利 :CN106845634A ,2017-06-13

[10]

变化的多层忆阻器件 [P].

赵世泳 .

中国专利 :CN104081524A ,2014-10-01

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