变化的多层忆阻器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280068485.7

申请日：

2012-03-16

公开(公告)号：

CN104081524A

公开(公告)日：

2014-10-01

发明(设计)人：

赵世泳

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

宋颖娉;康泉

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750175289 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2012800684857 申请公布日:20141001
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587981609 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2012800684857 申请日:20120316
2014-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板 [P].

卢马才 ;

冯铮宇 .

中国专利 :CN113488589A ,2021-10-08

[2]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741B ,2025-07-25

[3]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741A ,2022-12-13

[4]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

[5]

忆阻器件及其制备方法 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

李悦 ;

于迪 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103022350A ,2013-04-03

[6]

一种忆阻器的制备方法、忆阻器及存储器件 [P].

杨紫薇 ;

李文杰 ;

谢芳梅 ;

李诚 ;

刘奥星 ;

童佩斐 ;

李国啸 ;

陈志勇 ;

陆子恒 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN112289931A ,2021-01-29

[7]

用于切换忆阻器件的方法和电路 [P].

弗雷德里克·佩纳 ;

易伟 ;

马修·D·皮克特 .

中国专利 :CN103229419A ,2013-07-31

[8]

一种忆阻器件的制备方法 [P].

孙柏 ;

朱守辉 ;

毛双锁 ;

郑良 ;

夏钰东 ;

赵勇 .

中国专利 :CN108666418A ,2018-10-16

[9]

具有并联复位控制器件的忆阻阵列 [P].

约翰·保罗·斯特罗恩 ;

布伦特·布坎南 ;

郑乐 .

中国专利 :CN108431895A ,2018-08-21

[10]

一种忆阻器件的阻纳变温测试方法 [P].

王德君 ;

白娇 ;

秦福文 ;

李月 ;

谢威威 .

中国专利 :CN117907714A ,2024-04-19

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