一种忆阻器件的阻纳变温测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410039721.7

申请日：

2024-01-11

公开(公告)号：

CN117907714A

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

王德君白娇秦福文李月谢威威

申请人：

大连理工大学

申请人地址：

116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

IPC主分类号：

G01R31/00

IPC分类号：

G01R27/02

代理机构：

大连星海专利事务所有限公司 21208

代理人：

王树本;徐雪莲

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	公开	公开
2024-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/00申请日:20240111

共 50 条

[1]

一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法 [P].

王德君 ;

白娇 ;

李月 ;

谢威威 ;

李苏洋 .

中国专利 :CN112485529B ,2021-03-12

[2]

忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板 [P].

卢马才 ;

冯铮宇 .

中国专利 :CN113488589A ,2021-10-08

[3]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741B ,2025-07-25

[4]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741A ,2022-12-13

[5]

一种忆阻器件的制备方法 [P].

孙柏 ;

朱守辉 ;

毛双锁 ;

郑良 ;

夏钰东 ;

赵勇 .

中国专利 :CN108666418A ,2018-10-16

[6]

一种忆阻器的制备方法、忆阻器及存储器件 [P].

杨紫薇 ;

李文杰 ;

谢芳梅 ;

李诚 ;

刘奥星 ;

童佩斐 ;

李国啸 ;

陈志勇 ;

陆子恒 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN112289931A ,2021-01-29

[7]

忆阻器件及其制备方法 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

李悦 ;

于迪 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103022350A ,2013-04-03

[8]

变化的多层忆阻器件 [P].

赵世泳 .

中国专利 :CN104081524A ,2014-10-01

[9]

一种双阻变层局部有源忆阻器及其制备方法 [P].

袁方 ;

张硕 ;

邓玥 ;

彭舒 .

中国专利 :CN118251120A ,2024-06-25

[10]

一种双阻变层局部有源忆阻器及其制备方法 [P].

袁方 ;

张硕 ;

邓玥 ;

彭舒 .

中国专利 :CN118251120B ,2024-07-30

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