具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211295383.0

申请日：

2022-10-21

公开(公告)号：

CN115472741B

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

张亦舒凡雪蒙

申请人：

浙江大学杭州国际科创中心

申请人地址：

311200 浙江省杭州市经济技术开发区建设三路733号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10B63/00

代理机构：

杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260

代理人：

姚宇吉

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	授权	授权

共 50 条

[1]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741A ,2022-12-13

[2]

忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板 [P].

卢马才 ;

冯铮宇 .

中国专利 :CN113488589A ,2021-10-08

[3]

具有并联复位控制器件的忆阻阵列 [P].

约翰·保罗·斯特罗恩 ;

布伦特·布坎南 ;

郑乐 .

中国专利 :CN108431895A ,2018-08-21

[4]

忆阻器件及其制备方法 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

李悦 ;

于迪 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103022350A ,2013-04-03

[5]

变化的多层忆阻器件 [P].

赵世泳 .

中国专利 :CN104081524A ,2014-10-01

[6]

忆阻器及制造方法 [P].

马修·皮克特 ;

贾尼斯·尼克尔 .

中国专利 :CN103959459A ,2014-07-30

[7]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

[8]

一种忆阻器的制备方法、忆阻器及存储器件 [P].

杨紫薇 ;

李文杰 ;

谢芳梅 ;

李诚 ;

刘奥星 ;

童佩斐 ;

李国啸 ;

陈志勇 ;

陆子恒 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN112289931A ,2021-01-29

[9]

三端忆阻神经元器件的制备方法、三端忆阻神经元器件 [P].

张亦舒 ;

汪华 .

中国专利 :CN114937737A ,2022-08-23

[10]

用于切换阵列中的忆阻器件的方法和电路 [P].

易伟 ;

穆罕默德·沙基·库雷希 ;

弗雷德里克·佩纳 ;

理查德·J·卡特 .

中国专利 :CN103262414A ,2013-08-21

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