忆阻器及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180075205.0

申请日：

2011-12-12

公开(公告)号：

CN103959459A

公开(公告)日：

2014-07-30

发明(设计)人：

马修·皮克特贾尼斯·尼克尔

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L27115

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

康泉;宋志强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	公开	公开
2017-08-08	授权	授权
2016-10-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740905748 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2011800752050 登记生效日:20161010 变更事项:申请人变更前权利人:惠普发展公司,有限责任合伙企业变更后权利人:慧与发展有限责任合伙企业变更事项:地址变更前权利人:美国德克萨斯州变更后权利人:美国德克萨斯州
2014-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586357767 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2011800752050 申请日:20111212

共 50 条

[1]

忆阻器制备方法、忆阻器及设备 [P].

刘碧录 ;

陈文骏 ;

张荣杰 ;

郑荣戌 .

中国专利 :CN113675336A ,2021-11-19

[2]

忆阻器装置以及制造忆阻器装置的方法 [P].

M·巴斯卡兰 ;

S·斯里拉姆 ;

S·瓦利亚 ;

H·N·艾哈迈达巴迪 .

中国专利 :CN108475727A ,2018-08-31

[3]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741B ,2025-07-25

[4]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741A ,2022-12-13

[5]

忆阻器及忆阻器使用方法 [P].

刘雨亭 ;

赵维巍 ;

赵见远 .

中国专利 :CN120954464A ,2025-11-14

[6]

忆阻器及其制备方法、应用 [P].

张兆华 ;

庄腾飞 ;

林鼎 .

中国专利 :CN114497367A ,2022-05-13

[7]

光子忆阻器及其制造方法 [P].

张启明 ;

顾敏 ;

陈希 ;

栾海涛 .

中国专利 :CN111367132A ,2020-07-03

[8]

用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法 [P].

王佩剑 ;

蓝善贵 ;

郑智元 ;

潘宝俊 ;

张致翔 ;

俞滨 .

中国专利 :CN115020585A ,2022-09-06

[9]

忆阻器的制备方法，以及忆阻器 [P].

焦丽颖 ;

李哲威 .

中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28

[10]

忆阻器仿真电路、忆阻器阵列及忆阻器神经网络电路 [P].

金彦亮 ;

徐小川 .

中国专利 :CN120163063A ,2025-06-17

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