忆阻器的制备方法，以及忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411609250.5

申请日：

2024-11-12

公开(公告)号：

CN119730711A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

焦丽颖李哲威

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

孙璐璐

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	公开	公开
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20241112

共 50 条

[1]

忆阻器制备方法、忆阻器及设备 [P].

刘碧录 ;

陈文骏 ;

张荣杰 ;

郑荣戌 .

中国专利 :CN113675336A ,2021-11-19

[2]

忆阻器装置以及制造忆阻器装置的方法 [P].

M·巴斯卡兰 ;

S·斯里拉姆 ;

S·瓦利亚 ;

H·N·艾哈迈达巴迪 .

中国专利 :CN108475727A ,2018-08-31

[3]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[4]

忆阻器及其制备方法 [P].

何南 ;

堵大为 ;

童祎 .

中国专利 :CN111900249A ,2020-11-06

[5]

用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法 [P].

王佩剑 ;

蓝善贵 ;

郑智元 ;

潘宝俊 ;

张致翔 ;

俞滨 .

中国专利 :CN115020585A ,2022-09-06

[6]

侧壁忆阻器、存储器和侧壁忆阻器制备方法 [P].

唐建石 ;

胡若飞 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119365064A ,2025-01-24

[7]

柔性光控忆阻器以及制备方法 [P].

冯雪 ;

孟艳芳 ;

马寅佶 .

中国专利 :CN113346020A ,2021-09-03

[8]

多值忆阻器、多值忆阻器阵列及其制备工艺 [P].

程传同 ;

李刘杰 ;

陈弘达 ;

黄北举 ;

毛旭瑞 .

中国专利 :CN111710779A ,2020-09-25

[9]

忆阻器及其制备方法 [P].

冯雪 ;

孟艳芳 ;

马寅佶 .

中国专利 :CN113555502A ,2021-10-26

[10]

忆阻器及其制备方法 [P].

宫勇吉 ;

韦钧天 ;

何倩倩 ;

王蕾 .

中国专利 :CN117396062A ,2024-01-12

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