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忆阻器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510894948.4
申请日：
2025-06-30
公开(公告)号：
CN120693056A
公开(公告)日：
2025-09-23
发明(设计)人：
罗先刚 周云霞 李雄
申请人：
中国科学院光电技术研究所
申请人地址：
610000 四川省成都市武侯区人民南路四段九号
IPC主分类号：
H10N70/00
IPC分类号：
H10N70/20
代理机构：
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人：
唐正瑜
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20250630
2025-09-23 公开 公开
共 50 条
[1]
忆阻器及其制备方法、应用 [P]. 
张兆华 ;
庄腾飞 ;
林鼎 .
中国专利 :CN114497367A ,2022-05-13
[2]
忆阻器及其制备方法 [P]. 
宫勇吉 ;
韦钧天 ;
何倩倩 ;
王蕾 .
中国专利 :CN117396062A ,2024-01-12
[3]
忆阻器及其制备方法 [P]. 
何南 ;
堵大为 ;
童祎 .
中国专利 :CN111900249A ,2020-11-06
[4]
一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法 [P]. 
熊昌鹰 ;
缪向水 ;
徐明 ;
杨哲 .
中国专利 :CN113921711A ,2022-01-11
[5]
一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法 [P]. 
熊昌鹰 ;
缪向水 ;
徐明 ;
杨哲 .
中国专利 :CN113921711B ,2024-08-02
[6]
忆阻器的制备方法，以及忆阻器 [P]. 
焦丽颖 ;
李哲威 .
中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28
[7]
一种忆阻器及其制备方法 [P]. 
李祎 ;
任升广 ;
左文彬 ;
缪向水 .
中国专利 :CN115224193B ,2024-08-06
[8]
忆阻器及其制备方法 [P]. 
冯雪 ;
孟艳芳 ;
马寅佶 .
中国专利 :CN113555502A ,2021-10-26
[9]
忆阻器及其制备方法 [P]. 
吴华强 ;
钱鹤 ;
李辛毅 .
中国专利 :CN114256289A ,2022-03-29
[10]
一种垂直忆阻器及其制备方法 [P]. 
刘萍 ;
朱汉鹏 ;
李勇德 ;
普勇 .
中国专利 :CN118660615A ,2024-09-17
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