具有并联复位控制器件的忆阻阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680075803.0

申请日：

2016-01-27

公开(公告)号：

CN108431895A

公开(公告)日：

2018-08-21

发明(设计)人：

约翰·保罗·斯特罗恩布伦特·布坎南郑乐

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

G11C1300

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

康泉;宋志强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-21	公开	公开
2018-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 13/00 申请日:20160127

共 50 条

[1]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741B ,2025-07-25

[2]

具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法 [P].

张亦舒 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN115472741A ,2022-12-13

[3]

变化的多层忆阻器件 [P].

赵世泳 .

中国专利 :CN104081524A ,2014-10-01

[4]

用于切换阵列中的忆阻器件的方法和电路 [P].

易伟 ;

穆罕默德·沙基·库雷希 ;

弗雷德里克·佩纳 ;

理查德·J·卡特 .

中国专利 :CN103262414A ,2013-08-21

[5]

基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件 [P].

T·S·格申 ;

K·W·布鲁 ;

S·辛格 ;

D·纽恩斯 .

中国专利 :CN110168761A ,2019-08-23

[6]

一种光电忆阻器阵列的制备方法及其光电忆阻器阵列的应用 [P].

赵乐 ;

郑立梅 ;

房红 .

中国专利 :CN119768038A ,2025-04-04

[7]

具有双脉冲易化特性的忆阻器件及其制备方法 [P].

童祎 ;

高斐 ;

渠开放 ;

张缪城 ;

郭宇锋 ;

万相 ;

连晓娟 .

中国专利 :CN109935686A ,2019-06-25

[8]

基于忆阻器件的感存算一体单元及阵列 [P].

巨晨伟 ;

赵妙 ;

游涛 .

中国专利 :CN118506831A ,2024-08-16

[9]

一种忆阻器的制备方法、忆阻器及存储器件 [P].

杨紫薇 ;

李文杰 ;

谢芳梅 ;

李诚 ;

刘奥星 ;

童佩斐 ;

李国啸 ;

陈志勇 ;

陆子恒 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN112289931A ,2021-01-29

[10]

用于切换忆阻器件的方法和电路 [P].

弗雷德里克·佩纳 ;

易伟 ;

马修·D·皮克特 .

中国专利 :CN103229419A ,2013-07-31

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