半导体晶圆及半导体晶圆的研磨方法

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专利类型
发明
申请号
CN201880002582.3
申请日
2018-04-06
公开(公告)号
CN109689946A
公开(公告)日
2019-04-26
发明(设计)人
吉田拓 栗田英树
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C30B2940
IPC分类号
H01L21304
代理机构
北京戈程知识产权代理有限公司 11314
代理人
程伟;王锦阳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
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