氮化镓晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97117796.1

申请日：

1997-08-27

公开(公告)号：

CN1177655A

公开(公告)日：

1998-04-01

发明(设计)人：

油利正昭上田哲三马场孝明

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王忠忠;萧掬昌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-04-01	公开	公开
2006-05-10	授权	授权
2013-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101532927864 IPC(主分类):C30B 29/38 专利号:ZL971177961 申请日:19970827 授权公告日:20060510 终止日期:20120827
1999-06-02	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN102239283A ,2011-11-09

[2]

氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P].

三川丰 ;

栗本浩平 ;

包全喜 .

日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16

[3]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

皿山正二 ;

林昌弘 ;

三好直哉 ;

木村千春 ;

和田纯一 .

中国专利 :CN110295390A ,2019-10-01

[4]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

皿山正二 ;

林昌弘 ;

三好直哉 ;

木村千春 ;

和田纯一 .

中国专利 :CN106103816A ,2016-11-09

[5]

氮化镓晶体膜的制造方法 [P].

纐缬明伯 ;

村上尚 ;

山口晃 .

中国专利 :CN111094619A ,2020-05-01

[6]

氮化镓或氮化铝晶体的制造方法 [P].

王浩 ;

范广涵 .

中国专利 :CN1227718C ,2003-08-06

[7]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN101918625A ,2010-12-15

[8]

氮化镓晶体管和氮化镓晶体管的制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230700A ,2017-10-03

[9]

氮化镓晶体管的制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230717A ,2017-10-03

[10]

氮化镓晶体管的制造方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230621A ,2017-10-03

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