氮化镓晶体膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880059754.0

申请日：

2018-09-13

公开(公告)号：

CN111094619A

公开(公告)日：

2020-05-01

发明(设计)人：

纐缬明伯村上尚山口晃

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C16448 C30B2516 C30B2938 H01L21205

代理机构：

北京市铸成律师事务所 11313

代理人：

王艳波;林军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20180913
2020-05-01	公开	公开
2022-09-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/34 申请公布日:20200501

共 50 条

[1]

氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P].

三川丰 ;

栗本浩平 ;

包全喜 .

日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16

[2]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

皿山正二 ;

林昌弘 ;

三好直哉 ;

木村千春 ;

和田纯一 .

中国专利 :CN110295390A ,2019-10-01

[3]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

油利正昭 ;

上田哲三 ;

马场孝明 .

中国专利 :CN1177655A ,1998-04-01

[4]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

皿山正二 ;

林昌弘 ;

三好直哉 ;

木村千春 ;

和田纯一 .

中国专利 :CN106103816A ,2016-11-09

[5]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN102239283A ,2011-11-09

[6]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN101918625A ,2010-12-15

[7]

氮化镓单晶膜的制造方法 [P].

江风益 ;

王立 ;

李述体 ;

莫春兰 ;

彭学新 ;

熊传兵 ;

李鹏 .

中国专利 :CN1382838A ,2002-12-04

[8]

氮化镓晶体衬底及其制造方法 [P].

佐藤史隆 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101024903A ,2007-08-29

[9]

氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 [P].

马克·P·德维林 ;

朴东实 ;

史蒂文·F·莱博厄夫 ;

拉里·B·罗兰 ;

克里斯蒂·J·纳兰 ;

洪慧聪 ;

彼得·M·桑维克 .

中国专利 :CN100474511C ,2006-03-15

[10]

氮化镓或氮化铝晶体的制造方法 [P].

王浩 ;

范广涵 .

中国专利 :CN1227718C ,2003-08-06

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