非易失性半导体存储元件以及非易失性半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710142431.1

申请日：

2007-08-22

公开(公告)号：

CN101154687A

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

小野瑞城

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L27115 H01L2712 H01L23522

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063329517 IPC(主分类):H01L 29/792 专利申请号:2007101424311 公开日:20080402
2008-04-02	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器件 [P].

安田直树 .

中国专利 :CN103646962B ,2014-03-19

[2]

非易失性半导体存储器件 [P].

石丸哲也 ;

岛本泰洋 ;

安井感 .

中国专利 :CN101290800B ,2008-10-22

[3]

非易失性半导体存储器件 [P].

安田直树 .

中国专利 :CN103730516A ,2014-04-16

[4]

非易失性半导体存储器件 [P].

安田直树 .

中国专利 :CN101399291B ,2009-04-01

[5]

非易失性半导体存储器件 [P].

石丸哲也 ;

久本大 ;

安井感 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN1677675A ,2005-10-05

[6]

非易失性半导体存储器件 [P].

细野浩司 .

中国专利 :CN103119656A ,2013-05-22

[7]

非易失性半导体存储器件 [P].

菊地祥子 ;

高岛章 ;

安田直树 ;

村冈浩一 .

中国专利 :CN101330108A ,2008-12-24

[8]

非易失性半导体存储器件 [P].

三谷祐一郎 ;

松下大介 .

中国专利 :CN100452440C ,2005-12-28

[9]

非易失性半导体存储器件 [P].

河合贤 ;

东亮太郎 ;

川原昭文 ;

诹访仁史 ;

春山星秀 .

中国专利 :CN1975931A ,2007-06-06

[10]

非易失性半导体存储器件 [P].

奈良明子 ;

小池正浩 ;

三谷祐一郎 .

中国专利 :CN100379002C ,2005-12-28

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