非易失性半导体存储器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310711088.3
申请日
2008-09-26
公开(公告)号
CN103646962B
公开(公告)日
2014-03-19
发明(设计)人
安田直树
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L29423 H01L2951 H01L29788 H01L29792 H01L27115 H01L2711568
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
屠长存
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
安田直树 .
中国专利 :CN103730516A ,2014-04-16
[2]
非易失性半导体存储元件以及非易失性半导体存储器件 [P]. 
小野瑞城 .
中国专利 :CN101154687A ,2008-04-02
[3]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
安田直树 .
中国专利 :CN101399291B ,2009-04-01
[4]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
石丸哲也 ;
久本大 ;
安井感 ;
木村绅一郎 .
中国专利 :CN1677675A ,2005-10-05
[5]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
石丸哲也 ;
岛本泰洋 ;
安井感 .
中国专利 :CN101290800B ,2008-10-22
[6]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
菊地祥子 ;
高岛章 ;
安田直树 ;
村冈浩一 .
中国专利 :CN101330108A ,2008-12-24
[7]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
三谷祐一郎 ;
松下大介 .
中国专利 :CN100452440C ,2005-12-28
[8]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
奈良明子 ;
小池正浩 ;
三谷祐一郎 .
中国专利 :CN100379002C ,2005-12-28
[9]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
有吉恵子 ;
高岛章 ;
菊地祥子 ;
村冈浩一 .
中国专利 :CN101378083B ,2009-03-04
[10]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
有金刚 ;
久本大 ;
岛本泰洋 .
中国专利 :CN101373633A ,2009-02-25