高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaMgGeO5

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610574128.8
申请日
2016-07-19
公开(公告)号
CN106187105A
公开(公告)日
2016-12-07
发明(设计)人
方维双 段炼 苏和平
申请人
申请人地址
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
IPC主分类号
C04B3501
IPC分类号
C04B35622 C04B35626
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaZnGeO5 [P]. 
方维双 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106278236A ,2017-01-04
[2]
高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaSnO4 [P]. 
徐敏育 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106187156A ,2016-12-07
[3]
高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2SrSnO4 [P]. 
陈军奇 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106278241A ,2017-01-04
[4]
高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2SrZnGeO5 [P]. 
校凯 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106187103A ,2016-12-07
[5]
高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2SrCuGeO5 [P]. 
陈军奇 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106242529A ,2016-12-21
[6]
高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li2MgSnO4 [P]. 
校凯 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106187158A ,2016-12-07
[7]
Li2MgSn2O6作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方维双 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106187159A ,2016-12-07
[8]
Li2ZnSn2O6作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106278243A ,2017-01-04
[9]
LiBiSnO4作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方维双 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106278235A ,2017-01-04
[10]
高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Cu2Mg2V2O9 [P]. 
方亮 ;
邓酩 ;
李纯纯 .
中国专利 :CN105565809A ,2016-05-11