高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Cu2Mg2V2O9

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610089668.7

申请日：

2016-02-18

公开(公告)号：

CN105565809A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

方亮邓酩李纯纯

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/495 申请公布日:20160511
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663909097 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2016100896687 申请日:20160218
2016-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaSnO4 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187156A ,2016-12-07

[2]

高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaMgGeO5 [P].

方维双 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187105A ,2016-12-07

[3]

高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaZnGeO5 [P].

方维双 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106278236A ,2017-01-04

[4]

高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2SrSnO4 [P].

陈军奇 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106278241A ,2017-01-04

[5]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2V2O11 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105693233A ,2016-06-22

[6]

Li2MgSn2O6作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用 [P].

方维双 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187159A ,2016-12-07

[7]

Li2ZnSn2O6作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106278243A ,2017-01-04

[8]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷BaLiBiW2O9 [P].

相怀成 ;

唐莹 ;

王丹 .

中国专利 :CN104891992A ,2015-09-09

[9]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷SrLiLaW2O9 [P].

相怀成 ;

唐莹 ;

王丹 .

中国专利 :CN104876569A ,2015-09-02

[10]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷CaLiLaMo2O9 [P].

王丹 ;

相怀成 ;

唐莹 .

中国专利 :CN104944949A ,2015-09-30

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