一种SiC肖特基二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711176823.X

申请日：

2017-11-22

公开(公告)号：

CN107968126A

公开(公告)日：

2018-04-27

发明(设计)人：

朱继红蔺增金赵小瑞张志文

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2329 H01L21329

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

张雪梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20171122
2018-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

李博 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘焕明 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102376779A ,2012-03-14

[2]

一种SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘新宇 ;

许恒宇 ;

汤益丹 ;

蒋浩杰 ;

赵玉印 ;

申华军 ;

白云 ;

杨谦 .

中国专利 :CN103579375B ,2014-02-12

[3]

一种SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

朱继红 ;

蔺增金 ;

赵小瑞 ;

张志文 .

中国专利 :CN107946353A ,2018-04-20

[4]

一种SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

刘可安 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

王弋宇 ;

韩林超 ;

刘新宇 ;

李诚瞻 ;

史晶晶 .

中国专利 :CN103000697A ,2013-03-27

[5]

一种SiC肖特基二极管 [P].

朱继红 ;

蔺增金 ;

赵小瑞 ;

张志文 .

中国专利 :CN207381407U ,2018-05-18

[6]

一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113964209A ,2022-01-21

[7]

一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113964208B ,2024-07-30

[8]

一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113823698A ,2021-12-21

[9]

一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113964208A ,2022-01-21

[10]

一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113823698B ,2024-04-16

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