SiC肖特基二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110380007.7

申请日：

2011-11-25

公开(公告)号：

CN102376779A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

白云申华军汤益丹李博周静涛杨成樾刘焕明刘新宇

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2947 H01L2104

代理机构：

北京市德权律师事务所 11302

代理人：

刘丽君

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-22	授权	授权
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231927819 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2011103800077 申请日:20111125
2012-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

刘可安 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

王弋宇 ;

韩林超 ;

刘新宇 ;

李诚瞻 ;

史晶晶 .

中国专利 :CN103000697A ,2013-03-27

[2]

一种SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘新宇 ;

许恒宇 ;

汤益丹 ;

蒋浩杰 ;

赵玉印 ;

申华军 ;

白云 ;

杨谦 .

中国专利 :CN103579375B ,2014-02-12

[3]

一种SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

朱继红 ;

蔺增金 ;

赵小瑞 ;

张志文 .

中国专利 :CN107946353A ,2018-04-20

[4]

一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

刘可安 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

王弋宇 ;

韩林超 ;

刘新宇 ;

李诚瞻 ;

史晶晶 .

中国专利 :CN103000698A ,2013-03-27

[5]

SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

李博 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘焕明 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102437201A ,2012-05-02

[6]

氮化镓肖特基二极管及其制作方法 [P].

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

李亦衡 ;

王东盛 ;

苗操 ;

魏鸿源 ;

严文胜 .

中国专利 :CN106952966B ,2017-07-14

[7]

一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 [P].

朱继红 ;

蔺增金 ;

赵小瑞 ;

张志文 .

中国专利 :CN107910379A ,2018-04-13

[8]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109065605A ,2018-12-21

[9]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN108807554B ,2018-11-13

[10]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

柳志亨 .

中国专利 :CN102315281B ,2012-01-11

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