一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210483461.X

申请日：

2012-11-23

公开(公告)号：

CN103000698A

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

白云刘可安申华军汤益丹王弋宇韩林超刘新宇李诚瞻史晶晶

申请人：

申请人地址：

100083 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2906 H01L2104

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	授权	授权
2013-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101444323039 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:201210483461X 申请日:20121123
2013-03-27	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

李博 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘焕明 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102437201A ,2012-05-02

[2]

一种SiC结势垒肖特基二极管的制作方法 [P].

朱继红 ;

蔺增金 ;

赵小瑞 .

中国专利 :CN106992117A ,2017-07-28

[3]

一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 [P].

朱继红 ;

蔺增金 ;

赵小瑞 ;

张志文 .

中国专利 :CN107910379A ,2018-04-13

[4]

SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

岳瑞峰 ;

信婉清 ;

张莉 ;

王燕 .

中国专利 :CN103346169B ,2013-10-09

[5]

SiC结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P].

陈国鑫 ;

黄栋栋 ;

王妍茹 .

中国专利 :CN119069542A ,2024-12-03

[6]

SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

李博 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘焕明 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102376779A ,2012-03-14

[7]

一种SiC结势垒肖特基二极管 [P].

孙茂友 ;

宋李梅 ;

周丽哲 .

中国专利 :CN208521941U ,2019-02-19

[8]

一种SiC结势垒肖特基二极管 [P].

朱继红 ;

蔺增金 ;

赵小瑞 ;

张志文 .

中国专利 :CN207381410U ,2018-05-18

[9]

一种SiC肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

刘可安 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

王弋宇 ;

韩林超 ;

刘新宇 ;

李诚瞻 ;

史晶晶 .

中国专利 :CN103000697A ,2013-03-27

[10]

一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109461768A ,2019-03-12

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