SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310314763.9

申请日：

2013-07-24

公开(公告)号：

CN103346169B

公开(公告)日：

2013-10-09

发明(设计)人：

岳瑞峰信婉清张莉王燕

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L21329 H01L2906

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王莹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101536322062 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2013103147639 申请日:20130724
2016-04-20	授权	授权
2013-10-09	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

李博 ;

周静涛 ;

杨成樾 ;

刘焕明 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102437201A ,2012-05-02

[2]

结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

高冢章夫 .

日本专利 :CN118435360A ,2024-08-02

[3]

结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

高冢章夫 .

日本专利 :CN120345360A ,2025-07-18

[4]

SiC结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P].

陈国鑫 ;

黄栋栋 ;

王妍茹 .

中国专利 :CN119069542A ,2024-12-03

[5]

结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

李诚瞻 ;

刘可安 ;

吴煜东 ;

吴佳 ;

史晶晶 ;

杨勇雄 .

中国专利 :CN104009099B ,2014-08-27

[6]

结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

田中智章 .

中国专利 :CN105226102A ,2016-01-06

[7]

一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 [P].

白云 ;

刘可安 ;

申华军 ;

汤益丹 ;

王弋宇 ;

韩林超 ;

刘新宇 ;

李诚瞻 ;

史晶晶 .

中国专利 :CN103000698A ,2013-03-27

[8]

一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109461768A ,2019-03-12

[9]

新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P].

黎大兵 ;

刘新科 ;

孙晓娟 ;

贾玉萍 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN110752260A ,2020-02-04

[10]

结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P].

孙博韬 ;

张园览 ;

修德琦 .

中国专利 :CN119486157A ,2025-02-18

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