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结势垒肖特基二极管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411611174.1
申请日：
2024-11-12
公开(公告)号：
CN119486157A
公开(公告)日：
2025-02-18
发明(设计)人：
孙博韬 张园览 修德琦
申请人：
清纯半导体（宁波）有限公司
申请人地址：
315336 浙江省宁波市慈溪市杭州湾新区玉海东路136号42#栋
IPC主分类号：
H10D8/60
IPC分类号：
H10D8/01 H10D62/10
代理机构：
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人：
吴大建;金淼
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 8/60申请日:20241112
2025-02-18 公开 公开
共 50 条
[1]
SiC结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P]. 
陈国鑫 ;
黄栋栋 ;
王妍茹 .
中国专利 :CN119069542A ,2024-12-03
[2]
结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
高冢章夫 .
日本专利 :CN118435360A ,2024-08-02
[3]
结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
高冢章夫 .
日本专利 :CN120345360A ,2025-07-18
[4]
结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
李诚瞻 ;
刘可安 ;
吴煜东 ;
吴佳 ;
史晶晶 ;
杨勇雄 .
中国专利 :CN104009099B ,2014-08-27
[5]
结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
田中智章 .
中国专利 :CN105226102A ,2016-01-06
[6]
一种结势垒肖特基二极管 [P]. 
张清纯 .
中国专利 :CN216084895U ,2022-03-18
[7]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
金锐 ;
李翠 ;
葛念念 ;
郝夏敏 ;
洪欣迪 ;
和峰 ;
李哲洋 ;
崔翔 .
中国专利 :CN120358757A ,2025-07-22
[8]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
金锐 ;
李翠 ;
葛念念 ;
郝夏敏 ;
洪欣迪 ;
和峰 ;
李哲洋 ;
崔翔 .
中国专利 :CN120358757B ,2025-08-29
[9]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN118872078A ,2024-10-29
[10]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN120826994A ,2025-10-21
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