结势垒肖特基二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380084522.1

申请日：

2023-12-07

公开(公告)号：

CN120345360A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

高冢章夫

申请人：

株式会社田村制作所诺维晶科股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D8/50 H10D8/01 H10D8/00 H10D64/64

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

徐谦;刘宁军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 8/60申请日:20231207
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

高冢章夫 .

日本专利 :CN118435360A ,2024-08-02

[2]

结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

李诚瞻 ;

刘可安 ;

吴煜东 ;

吴佳 ;

史晶晶 ;

杨勇雄 .

中国专利 :CN104009099B ,2014-08-27

[3]

结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

田中智章 .

中国专利 :CN105226102A ,2016-01-06

[4]

结势垒肖特基二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

川崎克己 ;

平林润 .

日本专利 :CN118872078A ,2024-10-29

[5]

结势垒肖特基二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

川崎克己 ;

平林润 .

日本专利 :CN120826994A ,2025-10-21

[6]

结势垒肖特基二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

川崎克己 ;

平林润 .

日本专利 :CN118872077A ,2024-10-29

[7]

结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P].

孙博韬 ;

张园览 ;

修德琦 .

中国专利 :CN119486157A ,2025-02-18

[8]

结势垒肖特基二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

川崎克己 ;

平林润 .

日本专利 :CN118318310A ,2024-07-09

[9]

SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P].

岳瑞峰 ;

信婉清 ;

张莉 ;

王燕 .

中国专利 :CN103346169B ,2013-10-09

[10]

结势垒肖特基二极管 [P].

金锐 ;

李翠 ;

葛念念 ;

郝夏敏 ;

洪欣迪 ;

和峰 ;

李哲洋 ;

崔翔 .

中国专利 :CN120358757A ,2025-07-22

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