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新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911050585.7
申请日：
2019-10-31
公开(公告)号：
CN110752260A
公开(公告)日：
2020-02-04
发明(设计)人：
黎大兵 刘新科 孙晓娟 贾玉萍 石芝铭
申请人：
申请人地址：
130033 吉林省长春市东南湖大路3888号
IPC主分类号：
H01L29872
IPC分类号：
H01L2906 H01L21329
代理机构：
长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214
代理人：
李青
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-02-04 公开 公开
2021-11-26 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/872 申请公布日:20200204
2020-02-28 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20191031
共 50 条
[1]
结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P]. 
孙博韬 ;
张园览 ;
修德琦 .
中国专利 :CN119486157A ,2025-02-18
[2]
SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
岳瑞峰 ;
信婉清 ;
张莉 ;
王燕 .
中国专利 :CN103346169B ,2013-10-09
[3]
结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
李诚瞻 ;
刘可安 ;
吴煜东 ;
吴佳 ;
史晶晶 ;
杨勇雄 .
中国专利 :CN104009099B ,2014-08-27
[4]
SiC结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P]. 
陈国鑫 ;
黄栋栋 ;
王妍茹 .
中国专利 :CN119069542A ,2024-12-03
[5]
氧化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
汪青 ;
陈龙 ;
李沐峻 .
中国专利 :CN120091572A ,2025-06-03
[6]
结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
高冢章夫 .
日本专利 :CN118435360A ,2024-08-02
[7]
结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
高冢章夫 .
日本专利 :CN120345360A ,2025-07-18
[8]
结势垒肖特基二极管及其制造方法 [P]. 
田中智章 .
中国专利 :CN105226102A ,2016-01-06
[9]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN118872078A ,2024-10-29
[10]
结势垒肖特基二极管 [P]. 
有马润 ;
藤田实 ;
川崎克己 ;
平林润 .
日本专利 :CN118318310A ,2024-07-09
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