变掺杂GaN纳米线阵列光电阴极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810489512.7

申请日：

2018-05-21

公开(公告)号：

CN108630510A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

田健刘磊刁煜陆菲菲

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号

IPC主分类号：

H01J134

IPC分类号：

H01J912 B82Y4000 B82Y3000

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

马鲁晋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/34 申请日:20180521
2020-12-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J 1/34 申请公布日:20181009
2018-10-09	公开	公开

共 50 条

[1]

基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极 [P].

居莹 ;

陆菲菲 ;

刘磊 ;

田健 .

中国专利 :CN110223897B ,2019-09-10

[2]

外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

陆菲菲 ;

田健 ;

张杨星月 .

中国专利 :CN110610838B ,2019-12-24

[3]

一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

夏斯浩 ;

孔熠柯 ;

常本康 ;

张益军 .

中国专利 :CN105428183A ,2016-03-23

[4]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

张益军 ;

王晓晖 .

中国专利 :CN201689902U ,2010-12-29

[5]

一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法 [P].

邹继军 ;

郭栋 ;

朱志甫 ;

彭新村 ;

邓文娟 ;

王炜路 ;

冯林 ;

张益军 ;

常本康 .

中国专利 :CN103594302B ,2014-02-19

[6]

一种AlGaN纳米阵列光电阴极及其制备方法 [P].

夏斯浩 ;

施宏凯 ;

阚彩侠 ;

王妤艳 ;

戴玉婷 ;

吴咸 .

中国专利 :CN118116785A ,2024-05-31

[7]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

王晓晖 ;

张益军 .

中国专利 :CN101866976B ,2010-10-20

[8]

变组分反射式NEA AlxGa1-xN纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

陆菲菲 ;

田健 ;

夏斯浩 .

中国专利 :CN109103059A ,2018-12-28

[9]

垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

刁煜 ;

夏斯浩 ;

陆菲菲 ;

田健 .

中国专利 :CN110491751A ,2019-11-22

[10]

一种具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极 [P].

王晓晖 ;

王振营 ;

张翔 ;

班启沛 ;

张世博 .

中国专利 :CN113571390A ,2021-10-29

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