基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010179981.2

申请日：

2010-05-21

公开(公告)号：

CN101866976B

公开(公告)日：

2010-10-20

发明(设计)人：

杜晓晴常本康钱芸生高频王晓晖张益军

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

H01L31101

IPC分类号：

H01L310304 H01L3118

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

代理人：

张先芸

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-28	授权	授权
2014-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583616974 IPC(主分类):H01L 31/101 专利号:ZL2010101799812 申请日:20100521 授权公告日:20110928 终止日期:20130521
2010-10-20	公开	公开
2010-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101020710867 IPC(主分类):H01L 31/101 专利申请号:2010101799812 申请日:20100521

共 50 条

[1]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

张益军 ;

王晓晖 .

中国专利 :CN201689902U ,2010-12-29

[2]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构 [P].

王晓辉 .

中国专利 :CN108242377A ,2018-07-03

[3]

多组分、梯度掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法 [P].

常本康 ;

李飙 ;

徐源 ;

杜玉杰 ;

王晓晖 ;

杜晓晴 .

中国专利 :CN102064206A ,2011-05-18

[4]

基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵文伯 .

中国专利 :CN101866977A ,2010-10-20

[5]

基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

童广 .

中国专利 :CN102280343A ,2011-12-14

[6]

透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

常本康 ;

郝广辉 ;

金睦辉 ;

陈鑫龙 ;

张益军 ;

杨明珠 ;

石峰 ;

程宏昌 ;

任彬 .

中国专利 :CN103779436A ,2014-05-07

[7]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法 [P].

常本康 ;

李飙 ;

徐源 ;

王晓晖 ;

高频 ;

张俊举 ;

杜晓晴 .

中国专利 :CN102087937A ,2011-06-08

[8]

变掺杂GaN纳米线阵列光电阴极及其制备方法 [P].

田健 ;

刘磊 ;

刁煜 ;

陆菲菲 .

中国专利 :CN108630510A ,2018-10-09

[9]

基于GaN盖层的AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

景茂恒 ;

肖翔 ;

李纯 ;

赵继光 ;

彭翔 ;

钟枚汕 ;

祝世登 ;

王志明 ;

卢文浩 ;

赵亮 ;

杨跃光 ;

王元军 ;

张兴华 .

中国专利 :CN118352206A ,2024-07-16

[10]

一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵红 ;

王晓兰 .

中国专利 :CN100595858C ,2009-06-03

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