透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410012850.3

申请日：

2014-01-13

公开(公告)号：

CN103779436A

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

常本康郝广辉金睦辉陈鑫龙张益军杨明珠石峰程宏昌任彬

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市孝陵卫200号

IPC主分类号：

H01L31101

IPC分类号：

H01L310304 H01L3118

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

朱显国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	授权	授权
2018-12-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/101 申请日:20140113 授权公告日:20170104 终止日期:20180113
2014-05-07	公开	公开
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582696903 IPC(主分类):H01L 31/101 专利申请号:2014100128503 申请日:20140113

共 50 条

[1]

基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 ;

陈鑫龙 .

中国专利 :CN109256305A ,2019-01-22

[2]

基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵文伯 .

中国专利 :CN101866977A ,2010-10-20

[3]

基于GaN盖层的AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

景茂恒 ;

肖翔 ;

李纯 ;

赵继光 ;

彭翔 ;

钟枚汕 ;

祝世登 ;

王志明 ;

卢文浩 ;

赵亮 ;

杨跃光 ;

王元军 ;

张兴华 .

中国专利 :CN118352206A ,2024-07-16

[4]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

张益军 ;

王晓晖 .

中国专利 :CN201689902U ,2010-12-29

[5]

基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

童广 .

中国专利 :CN102280343A ,2011-12-14

[6]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

王晓晖 ;

张益军 .

中国专利 :CN101866976B ,2010-10-20

[7]

超晶格组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

夏斯浩 ;

郝广辉 ;

常本康 ;

孔熠柯 .

中国专利 :CN105449066A ,2016-03-30

[8]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法 [P].

常本康 ;

李飙 ;

徐源 ;

王晓晖 ;

高频 ;

张俊举 ;

杜晓晴 .

中国专利 :CN102087937A ,2011-06-08

[9]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构 [P].

王晓辉 .

中国专利 :CN108242377A ,2018-07-03

[10]

一种基于氧化镓的紫外光电阴极及其制备方法 [P].

李延彬 ;

张辰睿 ;

陈浩 ;

康健 ;

邵岑 ;

张乐 .

中国专利 :CN119092385A ,2024-12-06

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