基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811009797.6

申请日：

2018-08-31

公开(公告)号：

CN109256305A

公开(公告)日：

2019-01-22

发明(设计)人：

罗伟科李忠辉陈鑫龙

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

H01J912

IPC分类号：

H01J134

代理机构：

南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人：

沈根水

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 9/12 申请日:20180831
2021-03-23	授权	授权
2019-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

常本康 ;

郝广辉 ;

金睦辉 ;

陈鑫龙 ;

张益军 ;

杨明珠 ;

石峰 ;

程宏昌 ;

任彬 .

中国专利 :CN103779436A ,2014-05-07

[2]

基于GaN盖层的AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

景茂恒 ;

肖翔 ;

李纯 ;

赵继光 ;

彭翔 ;

钟枚汕 ;

祝世登 ;

王志明 ;

卢文浩 ;

赵亮 ;

杨跃光 ;

王元军 ;

张兴华 .

中国专利 :CN118352206A ,2024-07-16

[3]

基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

童广 .

中国专利 :CN102280343A ,2011-12-14

[4]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

张益军 ;

王晓晖 .

中国专利 :CN201689902U ,2010-12-29

[5]

基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵文伯 .

中国专利 :CN101866977A ,2010-10-20

[6]

超晶格组分渐变缓冲层透射式AlGaN紫外光阴极及制备方法 [P].

刘磊 ;

夏斯浩 ;

郝广辉 ;

常本康 ;

孔熠柯 .

中国专利 :CN105449066A ,2016-03-30

[7]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

王晓晖 ;

张益军 .

中国专利 :CN101866976B ,2010-10-20

[8]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法 [P].

常本康 ;

李飙 ;

徐源 ;

王晓晖 ;

高频 ;

张俊举 ;

杜晓晴 .

中国专利 :CN102087937A ,2011-06-08

[9]

一种基于氧化镓的紫外光电阴极及其制备方法 [P].

李延彬 ;

张辰睿 ;

陈浩 ;

康健 ;

邵岑 ;

张乐 .

中国专利 :CN119092385A ,2024-12-06

[10]

一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构的制备方法 [P].

王晓辉 .

中国专利 :CN108242378A ,2018-07-03

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