基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110195907.4

申请日：

2011-07-13

公开(公告)号：

CN102280343A

公开(公告)日：

2011-12-14

发明(设计)人：

杜晓晴童广

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

H01J4006

IPC分类号：

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

代理人：

张先芸

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	授权	授权
2011-12-14	公开	公开
2015-09-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 40/06 专利号:ZL2011101959074 申请日:20110713 授权公告日:20130123 终止日期:20140713 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101623046804
2012-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101177117758 IPC(主分类):H01J 40/06 专利申请号:2011101959074 申请日:20110713

共 50 条

[1]

基于双面凹孔衬底的透射式GaN光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

童广 .

中国专利 :CN202167452U ,2012-03-14

[2]

基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵文伯 .

中国专利 :CN101866977A ,2010-10-20

[3]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

张益军 ;

王晓晖 .

中国专利 :CN201689902U ,2010-12-29

[4]

透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

常本康 ;

郝广辉 ;

金睦辉 ;

陈鑫龙 ;

张益军 ;

杨明珠 ;

石峰 ;

程宏昌 ;

任彬 .

中国专利 :CN103779436A ,2014-05-07

[5]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

王晓晖 ;

张益军 .

中国专利 :CN101866976B ,2010-10-20

[6]

基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 ;

陈鑫龙 .

中国专利 :CN109256305A ,2019-01-22

[7]

一种GaN图形化衬底的制备方法及GaN图形化衬底 [P].

张敏 ;

刘强 ;

姜永京 ;

刘南柳 ;

王琦 ;

王新强 ;

肖继宗 ;

谢胜杰 ;

张国义 .

中国专利 :CN121152272A ,2025-12-16

[8]

指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构 [P].

王晓辉 .

中国专利 :CN108242377A ,2018-07-03

[9]

基于GaN盖层的AlGaN紫外光电阴极及其制备方法 [P].

景茂恒 ;

肖翔 ;

李纯 ;

赵继光 ;

彭翔 ;

钟枚汕 ;

祝世登 ;

王志明 ;

卢文浩 ;

赵亮 ;

杨跃光 ;

王元军 ;

张兴华 .

中国专利 :CN118352206A ,2024-07-16

[10]

一种图形化衬底的制备方法及图形化衬底 [P].

张博业 ;

宋得林 .

中国专利 :CN105336824A ,2016-02-17

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