基于双面凹孔衬底的透射式GaN光电阴极

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120246620.5

申请日：

2011-07-13

公开(公告)号：

CN202167452U

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

杜晓晴童广

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

H01J4006

IPC分类号：

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

代理人：

张先芸

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586663330 IPC(主分类):H01J 40/06 专利号:ZL2011202466205 申请日:20110713 授权公告日:20120314 终止日期:20130713
2012-03-14	授权	授权

共 50 条

[1]

基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

童广 .

中国专利 :CN102280343A ,2011-12-14

[2]

基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

赵文伯 .

中国专利 :CN101866977A ,2010-10-20

[3]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

张益军 ;

王晓晖 .

中国专利 :CN201689902U ,2010-12-29

[4]

基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的LED芯片 [P].

杜晓晴 ;

钟广明 ;

陈伟民 ;

刘显明 .

中国专利 :CN202004040U ,2011-10-05

[5]

基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片 [P].

杜晓晴 ;

钟广明 ;

陈伟民 ;

刘显明 .

中国专利 :CN102157654A ,2011-08-17

[6]

基于变掺杂结构的透射式GaN紫外光电阴极及制作方法 [P].

杜晓晴 ;

常本康 ;

钱芸生 ;

高频 ;

王晓晖 ;

张益军 .

中国专利 :CN101866976B ,2010-10-20

[7]

透射式X射线光电阴极 [P].

李晋 ;

王传珂 ;

刘慎业 ;

杨志文 ;

袁铮 ;

陈韬 ;

樊龙 ;

黎宇坤 ;

丁永坤 .

中国专利 :CN204215998U ,2015-03-18

[8]

透射式X射线光电阴极 [P].

李晋 ;

王传珂 ;

刘慎业 ;

杨志文 ;

袁铮 ;

陈韬 ;

樊龙 ;

黎宇坤 ;

丁永坤 .

中国专利 :CN104269337A ,2015-01-07

[9]

透射式电场辅助光电阴极 [P].

唐光华 ;

戴丽英 ;

钟伟俊 ;

徐汉成 ;

申屠军 ;

李拂晓 .

中国专利 :CN102891190A ,2013-01-23

[10]

一种基于光学增透膜的透射式GaAs光电阴极 [P].

蔡志鹏 .

中国专利 :CN213071056U ,2021-04-27

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